咕噜元

Vth 基本原理上图是 Nand Flash 最基础的存储单元，该单元被称为 1 个 Cell。每个 Cell 均由 1 个 FGMOS（浮栅型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管，即 Floating-gate MOSFET）构成 —— 相比普通 MOSFET，它额外增加了一层 “浮栅（Floating Gate）” 结构。 可将 MOSFET 理解为 1 个可受控调节的电阻：当在其栅极（Gate）与源极（Source）之间施加电压Vgs时，会改变漏极（Drain）与源极（Source）之间的电流I，进而间接改变此处的电压V（即需测量的目标电压），其 I-V 特性曲线下图所示。 当栅源电压Vgs小于导通电压Vth时，漏源电流I始终为 0，Cell 处于不导通状态，此时测量得到的漏源电压V等于 0。 当Vgs大于Vth时，Cell 开始导通，漏源电流I随Vgs增大而逐渐上升，漏源电压V也随之增大。 其中，Vth被定义为 “导通电压”。该电压值越高，意味着 Cell 需要更大的Vgs才能启动导通，整体导通难度也随之增加。 Vth 调控原理浮栅（Floating Gate）是...

Vth 分布SLC（Single-Level Cell，单级单元）存储架构中，单个存储单元（Cell）仅能存储 1 个 bit 的数据，这一特性决定了它仅需两种工作状态即可实现数据表征 —— 分别为 “擦除态（Erased）” 与 “编程态（Programmed）”。​在电压阈值（Vth）分布层面，两种工作状态对应呈现出两个独立且清晰的分布峰。基于这一特性，数据读取过程无需复杂的电压判断逻辑：只需设置一个读取电压（Vread，标记为 RL1），并将其精准置于两个 Vth 分布峰的中间区间。如此一来，通过检测字线（WL）下所有存储单元的实际 Vth 值与 RL1 的相对大小，即可快速区分单元处于 “擦除态” 还是 “编程态”，进而准确读出对应 1 个 bit 的数据。​TLC（Triple-Level Cell，三级单元）存储架构通过更精细的电压控制，实现了单个存储单元存储 3 个 bit 数据的突破，而 3 个 bit 的数据组合共可形成 8 种不同的逻辑状态，具体对应为：111、110、100、000、010、011、001、101。​从Vth分布来看，这 8 种逻辑状态各自对...

Nand Training Feature Training features shown in this section shall be supported by NAND devices operating over 800MT/s in heavily loaded systems. Nand Training Type ZQ Calibration DCC Training Read DQ Training Write DQ Training WDCA(Option) Internal VrefQ ZQ CalibrationZQ Calibration 介绍ZQ Calibration是一种电子调整过程，用于精确设定芯片输入/输出接口的电阻值，以确保在高速数据传输中信号清晰稳定，减少错误。ZQ Calibration就是这个“调音师”，它使用一个外部精密参考电阻作为“标准音叉”，来校准芯片内部电路这个“乐器”的音准（电阻值），无论环境如何变化，都能保持最佳性能。 ZQ Calibration的作用：它是一个动态、持续的过程。内存控制器会在初始...